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电子书 - 光刻：半导体独立和进步的守卫技术
2. 简介
3. 中芯国际实现了7nm制程技术
-深紫外线(DUV)技术
-自对齐四重曝光(SAQP)
4. 半导体光刻技术的起源和发展
- 回顾从1960年到ASML的EUV设备和技术的发展
5. 实践中的光刻方法- TechInsights对三星5LPE工艺的分析
-详细的图像检查金属栅（metal gate），鳍芯轴（fin mandrels ），active fin切割，以及三星为实现5LPE工艺所采用的不同光刻技术
6. 纳米压印和定向自组装光刻 -研究EUV、NIL、DSA和EBL的主要替代方案
7. 探索先进光刻技术的专利创新
-专利对于中国和世界其他地区在EUV和替代能源领域处于研发领先地位的公司至关重要
8. 结论
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